時(shí)間：2025/5/30 22:23:32
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GA1210A152FBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
型號：GA1210A152FBAAR31G
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝：TO-263（D2PAK）
Vds（漏源電壓）：100V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：15mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（連續(xù)漏極電流）：31A
Qg（總柵極電荷）：48nC
fT（截止頻率）：2.7MHz
Ptot（總功耗）：118W
Tj（結(jié)溫范圍）：-55℃至+175℃
GA1210A152FBAAR31G 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，在10V柵極驅(qū)動下僅為15mΩ，可顯著降低導(dǎo)通損耗。
2. 高額定漏極電流（31A），適合大功率應(yīng)用場合。
3. 快速開關(guān)性能，總柵極電荷（Qg）僅為48nC，能夠減少開關(guān)損耗。
4. 高耐壓能力，最大漏源電壓為100V，適用于多種電壓等級的應(yīng)用。
5. 采用TO-263封裝，具備良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
6. 寬工作溫度范圍，從-55℃到+175℃，適應(yīng)極端環(huán)境條件。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
該芯片適用于以下應(yīng)用場景：
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)，如AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的開關(guān)元件，用于控制電機(jī)的啟動、停止和調(diào)速。
3. 負(fù)載開關(guān)，用于動態(tài)管理不同負(fù)載的供電狀態(tài)。
4. 電池保護(hù)電路，防止過充、過放或短路。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊，例如車載充電器和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元。
IRFZ44N, FDP55N10
