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GA1210A122GBCAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:09:26 查看 閱讀�18

GA1210A122GBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,從而有效減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率�
  該器件屬于N溝道增強型MOSFET,適用于需要高電流處理能力和低功耗的�(yīng)用場合�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210A122GBCAR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速的開關(guān)性能,可支持高頻�(yīng)用�
  3. 高雪崩擊穿能量能�,增強了在異常情況下的耐受力�
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
  5. 提供卓越的熱�(wěn)定性和可靠�,確保在極端溫度條件下的正常運行�
  這些特性使得該芯片非常適合于要求高效率和高可靠性的電力電子�(shè)備中�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)�
  3. 汽車電子系統(tǒng),如電動車窗和座椅調(diào)節(jié)
  4. 工業(yè)自動化控制中的DC-DC�(zhuǎn)換器
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)�
  由于其出色的電氣性能和環(huán)境適�(yīng)�,GA1210A122GBCAR31G 成為許多高功率密度設(shè)計的理想選擇�

替代型號

GA1210A123GBCAR31G, IRFZ44N, FDP5570

ga1210a122gbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-