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GA1210A122FBLAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:08:04 查看 閱讀�19

GA1210A122FBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)域�
  這款芯片通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。同�,它還具備出色的雪崩能力和抗靜電能力,增強了在惡劣環(huán)境下的可靠��

參數(shù)

型號:GA1210A122FBLAT31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�8.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg)�42nC(典型值)
  輸入電容(Ciss)�2900pF(典型值)
  總功�(Ptot)�118W
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

GA1210A122FBLAT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源和逆變��
  3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  4. 強大的雪崩能量吸收能�,確保在異常條件下不會輕易損��
  5. 抗靜電能力達到人體模�(HBM) ±4kV以上,提高了芯片的魯棒��
  6. 符合RoHS�(biāo)�,環(huán)保且易于焊接�
  7. 封裝形式緊湊,適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化的需求�
  這些特性使� GA1210A122FBLAT31G 成為眾多高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括適配器、充電器和工�(yè)電源�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電��
  3. 電機�(qū)動,用于家用電器、電動工具和工業(yè)自動化設(shè)��
  4. 負載切換電路,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的負載通斷控制�
  5. 汽車電子,例如車身控制模�(BCM)、LED�(qū)動和電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)�
  6. 可再生能源領(lǐng)�,如太陽能微型逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
  GA1210A122FBLAT31G 憑借其�(yōu)越的性能,在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出色,滿足了市場對高�、可靠功率器件的需求�

替代型號

GA1210A122FBPALT31G
  IRFZ44N
  FDP15U12AE
  AON6210
  STP12NF06L

ga1210a122fblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-