類型：N溝道 MOSFET
　　漏源極擊穿電壓：60V
　　最大 drain 電流：120A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝形式：TO-247

GA1206Y823JBJBT31G 具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用中減少功耗并提升效率。
　　2. 高速開關(guān)能力可滿足高頻電路需求，降低開關(guān)損耗。
　　3. 優(yōu)秀的熱性能有助于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性及可靠性。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)機(jī)制以增強(qiáng)抗靜電能力。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)需求。
　　6. 封裝經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能夠有效進(jìn)行熱量散發(fā)，保證長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的安全性。

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
　　3. 新能源系統(tǒng)中的 DC-DC 和 DC-AC 轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　5. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　由于其出色的電氣性能和可靠性，該型號(hào)成為許多高功率電子設(shè)備的理想選擇。

GA1206Y822JBJBT31G, IRF740, FDP5500