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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y822JBXBT31G

GA1206Y822JBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 21:49:54 查看 閱讀�19

GA1206Y822JBXBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,非常適合在要求苛刻的應(yīng)用中使用�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在降低功耗并提高系統(tǒng)可靠�。其封裝形式� TO-247,適合表面貼裝或通孔安裝,便于散熱管��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻:0.08Ω
  柵極電荷�55nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=45ns, toff=75ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206Y822JBXBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠支持高頻操作,適用于開(kāi)�(guān)電源和逆變��
  3. 高雪崩能量能�,提高了器件在異常情況下的魯棒性�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
  5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持可靠性能�
  6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,增�(qiáng)了功率處理能力�

�(yīng)�

該元器件廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服控��
  3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備和�(chē)� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 各類(lèi)需要高�、高效功率轉(zhuǎn)換的電路�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

GA1206Y822JAXBT31G, GA1206Y822JBGBT31G

ga1206y822jbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-