GA1206Y821JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)��
這款芯片在設(shè)�(jì)上注重降低功耗和提升系統(tǒng)可靠�,適用于工業(yè)、消�(fèi)電子及汽�(chē)電子等領(lǐng)域�
�(lèi)型:功率 MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極電壓):1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):20A
Qg(柵極電荷)�80nC
fSW(最大開(kāi)�(guān)頻率):100kHz
Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � +150�
GA1206Y821JBABT31G 具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其 Vds 高達(dá) 1200V,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 150mΩ,在高負(fù)載電流下能夠有效減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:低 Qg 和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)確保了高頻應(yīng)用中的高效表�(xiàn)�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá) +150� 的結(jié)�,適�(yīng)苛刻的工作環(huán)境�
5. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 封裝�(jiān)固:采用 TO-247 封裝形式,便于散熱并提供良好的機(jī)械強(qiáng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于各種�(lèi)型的電機(jī)控制電路,包括步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)�
3. 工業(yè)�(shè)備:如焊接機(jī)、不間斷電源(UPS)和工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)�
4. 汽車(chē)電子:電�(dòng)汽車(chē)充電模塊、車(chē)載逆變器以及其他相�(guān)�(yīng)��
5. 太陽(yáng)能逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換與管理�
IRFP460,
STW12NM120,
FDP16N120,
IXYS IXGH12N120