GA1206Y683KBJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能�
該器件具有出色的電氣特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠�。其封裝形式支持高效的散熱管�,并且兼容自�(dòng)化裝配工藝,適合大規(guī)模生�(chǎn)�
型號(hào):GA1206Y683KBJBR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�60A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
功�(PD)�270W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝:TO-247
GA1206Y683KBJBR31G 具有以下特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在大電流應(yīng)用中減少功率損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì)�
3. �(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)器件在異常條件下的耐受��
4. 支持高電流負(fù)�,滿(mǎn)足工�(yè)和汽�(chē)�(lǐng)�?qū)β势骷男枨�?br> 5. 熱穩(wěn)定性好,確保在極端溫度�(huán)境下可靠工作�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
4. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
5. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
IRF1405ZPBF
FDP159N12AE
AUIRF1405SPPBF