GA1206Y682KXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為TO-263,適合表面貼�,能夠有效提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
總柵極電荷:85nC
輸入電容�2200pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低功率損耗�
2. 高開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期工作�
4. �(nèi)置反向二極管,提供額外的保護(hù)功能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和控制模��
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5500
IXYS GZ100N06SBD