GA1206Y682JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)�
該型號屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并且具有良好的抗靜電能�,確保在各種�(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
類型:N溝道MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總功�(Ptot)�120W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y682JXJBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場�,能夠降低開�(guān)損耗�
3. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,防止芯片因過熱而損��
4. 大電流承載能力使其適用于高功率場合�
5. 出色的熱性能�(shè)�(jì),能夠快速散熱,延長使用壽命�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,無鉛封��
該芯片廣泛應(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于PS),如適配�、充電器等�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動系�(tǒng),用于控制直流或無刷直流電機(jī)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的電壓�(zhuǎn)換解決方��
4. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 電動車及混合動力車的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L