GA1206Y563MBXBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和�(yōu)異的熱性能。它適用于多種電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等。其封裝形式和電氣特性使其非常適合在高溫和高�(fù)載環(huán)境下工作�
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠在高頻條件下保持較低的�(kāi)�(guān)損�,并提供出色的電流處理能力。其�(shè)�(jì)符合�(xiàn)代工�(yè)�(duì)高效能源管理的需�,同�(shí)滿足�(yán)格的EMI和安全標(biāo)�(zhǔn)�
型號(hào):GA1206Y563MBXBT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):2800pF
最大功耗:220W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y563MBXBT31G具備以下�(guān)鍵特性:
- 極低的導(dǎo)通電�,確保在大電流應(yīng)用中減少能量損耗�
- 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá)500kHz的工作頻��
- �(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性,可承受瞬�(tài)電壓沖擊�
- �(nèi)置防靜電保護(hù)電路,提高芯片的可靠��
- 小尺寸封裝,便于PCB布局�(yōu)��
- 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
- �(wěn)定的�(dòng)�(tài)閾值電�,確保在不同工作條件下的�(wěn)定運(yùn)��
- 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)惡劣�(huán)境需��
這些特性使得該芯片成為各種高功率密度應(yīng)用的理想選擇,包括但不限于不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能逆變器和電動(dòng)車控制器等�
GA1206Y563MBXBT31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)元件�
- 電動(dòng)車及混合�(dòng)力車的電�(jī)控制��
- 太陽(yáng)能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的伺服驅(qū)�(dòng)��
- 不間斷電源(UPS)和電池充電��
- LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)電路�
- 各類AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器�
由于其強(qiáng)大的性能和靈活�,這款芯片能夠滿足從消�(fèi)電子到工�(yè)控制的各種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)��
IRFP460,
STP120NF60,
FDP5570,
IXYS40N65T2