類型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：120A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.4mΩ (典型值，Vgs=10V)
　　柵極電荷(Qg)：85nC
　　總電容(Ciss)：3500pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247-3

GA1206Y561MBLBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用場(chǎng)合，減少磁性元件體積。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性設(shè)計(jì)，即使在高負(fù)載條件下也能保持良好的散熱表現(xiàn)。
　　4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管功能，可進(jìn)一步優(yōu)化電路設(shè)計(jì)并簡(jiǎn)化布局。
　　5. 強(qiáng)大的抗浪涌能力，適合嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境使用。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

該芯片適用于廣泛的電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制單元。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　5. 電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的功率管理組件。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的大電流開(kāi)關(guān)。

IRFP2907ZPBF, FDP150AN6B, STW83N60M2