GA1206Y394MBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),具備出色的開關(guān)特性和熱性能,適合在高電流和高頻應(yīng)用中使用。
其封裝形式為TO-252(DPAK),具有較高的電氣隔離能力和散熱性能,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備領(lǐng)域。
型號(hào):GA1206Y394MBXBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):4.5mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):120A
VGSS(柵源極電壓):±20V
功耗:27W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝:TO-252(DPAK)
GA1206Y394MBXBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和較低的輸入電容,能夠支持高頻操作。
3. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了對(duì)靜電放電的耐受能力。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于各種現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求。
6. 優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
這些特點(diǎn)使得該器件特別適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格熱管理的應(yīng)用場(chǎng)合。
GA1206Y394MBXBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的各類高電流開關(guān)應(yīng)用。
由于其卓越的性能和可靠性,這款MOSFET成為眾多工程師設(shè)計(jì)高效、緊湊型電力電子系統(tǒng)的首選。
GA1206Y394MBXBR28G, IRFZ44N, FDP5500NL