GA1206Y393JXJBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、DC-DC轉換器和電機驅動等應用領�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系統的效率和可靠��
這款MOSFET屬于N溝道增強�,適合用于高頻開關應用場景。其封裝形式和電氣特性經過優(yōu)化設�,確保在嚴苛的工作條件下依然保持�(wěn)定性能�
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�60A
導通電�(Rds(on))�3.5mΩ
總功�(Ptot)�250W
結溫范圍(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y393JXJBR31G 具有以下顯著特性:
1. 低導通電阻:Rds(on)僅為3.5mΩ,大幅降低傳導損�,提升系統效率�
2. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達60A,滿足大功率應用需��
3. 快速開關性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻工��
4. 良好的熱性能:采用高效的散熱封裝,有助于延長器件壽命�
5. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的結溫范圍,適應各種惡劣環(huán)��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS):作為主功率開關,提供高效能量轉��
2. DC-DC轉換器:用于降壓或升壓電�,實現穩(wěn)定的電壓輸出�
3. 電機驅動:適用于工業(yè)自動�、家用電器中的無刷直流電機控��
4. 電池管理系統(BMS):用作保護開�,防止過流或短路�
5. 可再生能源設備:如太陽能逆變器和風力�(fā)電系統中的功率轉換模��
IRFP260N, FDP18N12P, STW13NM60D