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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1206Y393JXJBR31G

GA1206Y393JXJBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 22:22:57 查看 閱讀�15

GA1206Y393JXJBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、DC-DC轉換器和電機驅動等應用領�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系統的效率和可靠��
  這款MOSFET屬于N溝道增強�,適合用于高頻開關應用場景。其封裝形式和電氣特性經過優(yōu)化設�,確保在嚴苛的工作條件下依然保持�(wěn)定性能�

參數

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�60A
  導通電�(Rds(on))�3.5mΩ
  總功�(Ptot)�250W
  結溫范圍(Tj)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206Y393JXJBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導通電阻:Rds(on)僅為3.5mΩ,大幅降低傳導損�,提升系統效率�
  2. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達60A,滿足大功率應用需��
  3. 快速開關性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻工��
  4. 良好的熱性能:采用高效的散熱封裝,有助于延長器件壽命�
  5. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的結溫范圍,適應各種惡劣環(huán)��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS):作為主功率開關,提供高效能量轉��
  2. DC-DC轉換器:用于降壓或升壓電�,實現穩(wěn)定的電壓輸出�
  3. 電機驅動:適用于工業(yè)自動�、家用電器中的無刷直流電機控��
  4. 電池管理系統(BMS):用作保護開�,防止過流或短路�
  5. 可再生能源設備:如太陽能逆變器和風力�(fā)電系統中的功率轉換模��

替代型號

IRFP260N, FDP18N12P, STW13NM60D

ga1206y393jxjbr31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-