GA1206Y392KBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度�
這款器件能夠有效降低功率損�,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,非常適合需要高效率和高功率密度的設(shè)計場��
型號:GA1206Y392KBJBT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
封裝:TO-247-3
最大漏源電�(Vdss)�1200V
連續(xù)漏極電流(Id)�60A
柵極電荷(Qg)�150nC
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.05Ω
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1206Y392KBJBT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,支持高� 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境�
2. 較低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在大電流條件下減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能,優(yōu)化了動態(tài)特性和效率�
4. 提供 TO-247-3 封裝形式,便于散熱設(shè)��
5. 具備強大的抗雪崩能力和魯棒�,確保系�(tǒng)運行的可靠��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣的工作環(huán)��
GA1206Y392KBJBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 工業(yè)電機�(qū)動和控制電路�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
5. 電動汽車充電站和車載充電�(shè)��
6. 高壓�(fù)載切換和保護電路�
IRGB140D12SPBF, FGH12N60L