GA1206Y391JBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。此外,其封裝形式緊湊,便于在高密度電路板中使用。
型號(hào):GA1206Y391JBLBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg):75nC
總功耗(Ptot):150W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
GA1206Y391JBLBR31G 的核心特性在于其極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的動(dòng)態(tài)性能。2.5mΩ 的 Rds(on) 可以有效降低導(dǎo)通損耗,而 75nC 的柵極電荷則保證了高速開(kāi)關(guān)能力,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí),該器件具有強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)功能和耐熱性能,在極端條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
此外,這款 MOSFET 支持高達(dá) 45A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景,并且能夠在 -55°C 至 +175°C 的寬溫范圍內(nèi)可靠工作,滿足工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用需求。
GA1206Y391JBLBR31G 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 系統(tǒng)。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 高效功率因數(shù)校正 (PFC) 電路設(shè)計(jì)。
IRFP2907ZPBF, FDP18N60C, IXYS20N60E