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GA1206Y334JBJBT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 20:43:05 查看 閱讀:8

GA1206Y334JBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)域。該芯片采用先進的制造工藝,具備高效率、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,具有快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷特性,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。其封裝形式支持表面貼裝技術(shù)(SMD),便于自動化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  額定電壓:60V
  額定電流:30A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型值)
  柵極電荷:45nC(最大值)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1206Y334JBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用。
  3. 強大的過流能力和短路耐受能力,提升了器件的可靠性。
  4. 支持高溫運行,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
  5. 封裝設(shè)計具備良好的散熱性能,確保長期穩(wěn)定運行。
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
  2. 電機驅(qū)動電路中的功率控制。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換開關(guān)。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  5. LED 驅(qū)動器中的功率級組件。
  6. 各類高頻逆變器和轉(zhuǎn)換器的核心元件。

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5800

ga1206y334jbjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.33 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-