GA1206Y331MBLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要應用于電源管理、電機驅動和開關電源等領�。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電阻、高效率和良好的熱性能等優(yōu)�。其封裝形式� TO-252(DPAK),適合表面貼�,具有較高的電流處理能力和散熱能力�
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,支持高頻開關操�,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提高整體效率�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
導通電�(Rds(on))�3.8mΩ
最大漏極電�(Id)�47A
功�(Ptot)�2.9W
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝:TO-252(DPAK)
GA1206Y331MBLBR31G 具有以下特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),能夠在高電流條件下有效降低功��
2. 支持高頻開關操作,非常適合開關電�、DC-DC 轉換器以及電機驅動應用�
3. 提供出色的熱性能,能夠承受較大的功率損耗并保持�(wěn)定運��
4. 高度可靠的封裝設�,確保在嚴苛�(huán)境下的長期使用�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)需��
該芯片廣泛用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
2. 電機驅動電路中的電子開關�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
5. 可再生能源系�(tǒng)如太陽能逆變器中的關鍵組��
IRFZ44N
STP45NF06
FDP5500
AO3400