GA1206Y274MBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能和能��
型號(hào):GA1206Y274MBXBR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
功�(PD)�180W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y274MBXBR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�。其�(dǎo)通電阻僅� 1.2mΩ,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,該芯片支持高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)合。同�(shí),其高開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì)使其在減少開(kāi)�(guān)損耗并�(yōu)化動(dòng)�(tài)性能�
芯片的工作溫度范圍寬�,從 -55°C � +175°C,確保了在極端環(huán)境條件下的可靠運(yùn)�。此�,該器件采用 TO-247-3 封裝形式,具有良好的散熱特性和�(jī)械穩(wěn)定��
GA1206Y274MBXBR31G 廣泛�(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. 電動(dòng)�(chē)�(EV) 和混合動(dòng)力汽�(chē)(HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的伺服驅(qū)�(dòng)和變頻器�
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)中的功率管理模塊�
5. 高效照明系統(tǒng)� LED 照明的驅(qū)�(dòng)電路�
該器件憑借其卓越的性能,能夠在這些�(yīng)用中提供高效率和高可靠��
GA1206Y274MBXBR31H, IRFP260N, FDP170N06L