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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y274JBJBT31G

GA1206Y274JBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 17:00:22 查看 閱讀�5

GA1206Y274JBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,支持高電流應(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)注重散熱性能與電氣穩(wěn)定性,在各種復(fù)雜工作環(huán)境下均能保持良好的表�(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)速度:超高�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y274JBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在典型條件下僅� 2.5mΩ,可顯著減少�(dǎo)通損耗�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低� 80nC,有助于降低開關(guān)損��
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�),適合極端環(huán)境下的使��
  5. 提供可靠� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件抗干擾能��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  7. 封裝為標(biāo)�(zhǔn) TO-247,易于集成到�(xiàn)有電路中�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器模塊�
  4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  5. 高效 LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,例如通信基站和服�(wù)器電源等�

替代型號(hào)

GA1206Y274JBJBT32G, IRF3205, FDP55N06L

ga1206y274jbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.27 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-