GA1206Y273MXBBR31G是一款高性能的工�(yè)級存儲芯�,主要用于數(shù)�(jù)記錄與存儲功能。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高可靠性和低功耗的特點,適合在各種惡劣�(huán)境下工作。其�(nèi)部集成了大容量閃存陣列和控制電路,能�?qū)崿F(xiàn)快速的�(shù)�(jù)寫入、讀取和擦除操作�
類型:NAND Flash
容量�128GB
接口:PCIe Gen4 x4
工作電壓�1.8V/3.3V
工作溫度范圍�-40℃至+85�
封裝形式:BGA
尺寸�16mm x 24mm x 1.5mm
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)5000MB/s(讀)和4500MB/s(寫�
平均無故障時間:200萬小�
GA1206Y273MXBBR31G具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力,適用于需要實時處理大量數(shù)�(jù)的應(yīng)用場景�
2. �(nèi)置ECC(Error Correction Code)引�,可有效提升�(shù)�(jù)的完整性和可靠��
3. 支持磨損均衡算法,延長存儲器使用壽命�
4. 具備斷電保護(hù)機制,在突然掉電情況下仍能保證數(shù)�(jù)安全�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且符合國際法規(guī)要求�
6. 支持多種加密技�(shù),保障數(shù)�(jù)安全性�
該芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、工�(yè)計算機、網(wǎng)�(luò)�(shè)�、醫(yī)療設(shè)備、安防監(jiān)控以及其他需要高可靠性和大容量存儲的�(lǐng)�。此外,它也常被用作服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心的數(shù)�(jù)存儲解決方案,滿足對性能和穩(wěn)定性的�(yán)格要��
GA1206Y273MXBBR32G, GA1206Y273MXBBR30G