GA1206Y273MBCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。該芯片具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,適用于需要緊湊設計和高效能的應用場景。
這款功率MOSFET采用先進的制造工藝,支持大電流處理能力,并且具備良好的熱性能,確保在高頻工作條件下仍能保持穩(wěn)定。
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:42A
導通電阻(典型值):2.9mΩ
柵極電荷:38nC
開關(guān)時間:開啟延遲時間39ns,關(guān)斷下降時間18ns
結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA1206Y273MBCBT31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在大電流應用中降低功耗。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻電路設計。
3. 內(nèi)置反向恢復二極管,優(yōu)化了同步整流和續(xù)流性能。
4. 良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性,確保在惡劣環(huán)境下的可靠運行。
5. 表面貼裝封裝形式,簡化了生產(chǎn)流程并提高了組裝效率。
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保。
該型號的功率MOSFET適用于以下領域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
3. 電動工具、家用電器中的電機驅(qū)動。
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
5. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)。
6. 汽車電子系統(tǒng)的功率控制模塊。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L