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GA1206Y224JXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:28:03 查看 閱讀�11

GA1206Y224JXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,確保了高效率和高可靠�,同�(shí)其封裝形式優(yōu)化了散熱性能和電氣連接特��

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y224JXBBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.4mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):60A
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
  Qg(柵極電荷)�35nC
  fsw(最大工作頻率)�500kHz
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸并減少了功耗�
  2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,從而提升了系統(tǒng)效率�
  3. 高額定電� (Vds) 和大電流承載能力 (Id),使其適用于多種高功率應(yīng)��
  4. 小巧且優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)增強(qiáng)了熱性能,便于集成到緊湊型電路中�
  5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�) 保證了在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主功率級(jí)開關(guān)元件�
  2. 用于高效 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�?fù)�?br>  3. 電動(dòng)� (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和太陽能逆變器中的功率開�(guān)組件�
  6. 各類電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(guān)鍵功率切換器件�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  AON7924
  STP120NF06L

ga1206y224jxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.22 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-