GA1206Y224JXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)��
這款 MOSFET 采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,確保了高效率和高可靠�,同�(shí)其封裝形式優(yōu)化了散熱性能和電氣連接特��
型號(hào):GA1206Y224JXBBR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.4mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):60A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
Qg(柵極電荷)�35nC
fsw(最大工作頻率)�500kHz
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸并減少了功耗�
2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,從而提升了系統(tǒng)效率�
3. 高額定電� (Vds) 和大電流承載能力 (Id),使其適用于多種高功率應(yīng)��
4. 小巧且優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)增強(qiáng)了熱性能,便于集成到緊湊型電路中�
5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�) 保證了在極端�(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主功率級(jí)開關(guān)元件�
2. 用于高效 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�?fù)�?br> 3. 電動(dòng)� (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和太陽能逆變器中的功率開�(guān)組件�
6. 各類電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(guān)鍵功率切換器件�
IRFZ44N
FDP5800
AON7924
STP120NF06L