GA1206Y224JBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專(zhuān)為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該型號(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道器件,廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和其他開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其采用了先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)卓越的電氣性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�95nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝�(lèi)型:TO-247
GA1206Y224JBABR31G 具有非常低的�(dǎo)通電阻,可以顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),其具備較高的電流處理能力和耐熱性能,非常適合高功率密度的設(shè)�(jì)。此�,這款 MOSFET 提供了快速開(kāi)�(guān)速度,從而減少了�(kāi)�(guān)損�,并且在�(dòng)�(tài)操作條件下表�(xiàn)�(yōu)��
由于采用了堅(jiān)固的封裝技�(shù),該芯片還具有出色的抗機(jī)械應(yīng)力能�,這使其能夠適�(yīng)各種惡劣的工作環(huán)�。整體而言,GA1206Y224JBABR31G 的設(shè)�(jì)注重提升可靠性和耐用性,滿足工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用的需��
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于大功率電源轉(zhuǎn)換電路中,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能微逆變器等。此外,在電�(dòng)�(chē)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制模塊里也有廣泛應(yīng)�。它還可以作為負(fù)載開(kāi)�(guān)使用,在電池管理系統(tǒng) (BMS) 或者其他需要高效切換電流路徑的地方�(fā)揮重要作��
由于其良好的散熱特性和�(qiáng)大的電流承載能力,該器件也非常適合用作電子負(fù)載或功率放大器的一部分�
IRFP2907ZPBF, FDP057N06L