GA1206Y223MBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能功率控制的應(yīng)用場(chǎng)�。其出色的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能使其在高效率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此型�(hào)通常�(yīng)用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備中,例如適配器、充電器、LED照明以及各類功率管理模塊。由于其具備較高的電流承載能力和較低的功耗特性,因此非常適合要求�(yán)格的工作�(huán)��
類型:N溝道 MOSFET
電壓等級(jí)(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):80A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):1200pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y223MBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操作,減少磁性元件尺��
3. 較高的雪崩能量承受能�,增�(qiáng)系統(tǒng)的魯棒性和可靠性�
4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和過流保�(hù),確保安全運(yùn)��
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端�(huán)境下的使用需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性使該器件成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�
GA1206Y223MBXBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如筆記本電腦適配器和�(tái)式機(jī)電源�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備和電動(dòng)工具�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,適用于汽車電子和通信基站�
4. LED�(qū)�(dòng)器,為高亮度LED提供�(wěn)定電��
5. 充電器解決方�,包括快充技�(shù)相關(guān)的移�(dòng)�(shè)備充電器�
憑借其卓越的性能,這款MOSFET能夠滿足大多�(shù)功率�(zhuǎn)換與控制的需��
IRFP2907ZPBF, FDP150N06SBD, STW12NK60Z