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GA1206Y223MBXBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 21:44:57 查看 閱讀�18

GA1206Y223MBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能功率控制的應(yīng)用場(chǎng)�。其出色的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能使其在高效率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  此型�(hào)通常�(yīng)用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備中,例如適配器、充電器、LED照明以及各類功率管理模塊。由于其具備較高的電流承載能力和較低的功耗特性,因此非常適合要求�(yán)格的工作�(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級(jí)(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):80A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):1200pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y223MBXBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操作,減少磁性元件尺��
  3. 較高的雪崩能量承受能�,增�(qiáng)系統(tǒng)的魯棒性和可靠性�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和過流保�(hù),確保安全運(yùn)��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端�(huán)境下的使用需��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這些特性使該器件成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206Y223MBXBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如筆記本電腦適配器和�(tái)式機(jī)電源�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備和電動(dòng)工具�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,適用于汽車電子和通信基站�
  4. LED�(qū)�(dòng)器,為高亮度LED提供�(wěn)定電��
  5. 充電器解決方�,包括快充技�(shù)相關(guān)的移�(dòng)�(shè)備充電器�
  憑借其卓越的性能,這款MOSFET能夠滿足大多�(shù)功率�(zhuǎn)換與控制的需��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP150N06SBD, STW12NK60Z

ga1206y223mbxbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-