GA1206Y223KBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理場(chǎng)景�
這款芯片特別適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)�,能夠提供良好的散熱性能,同�(shí)保持緊湊的設(shè)�(jì)�
類型:MOSFET
工作電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):60A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ
柵極電荷(Qg):85nC
總功耗:45W
封裝形式:TO-247-3L
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206Y223KBABT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (2.2mΩ),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操�,適用于�(kāi)�(guān)電源和逆變器等�(yīng)用�
3. 高擊穿電� (120V),確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,可有效減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
5. 封裝形式采用 TO-247-3L,具備出色的散熱能力和機(jī)械強(qiáng)��
6. 支持寬范圍的工作溫度 (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和功率調(diào)節(jié)�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng) (BMS) 和電�(dòng)助力�(zhuǎn)� (EPS)�
IRFP260N
FDP18N120
STP120NF10
IXFN120N10T2