GA1206Y222KBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)計。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在提供高效率的同時具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場景中�
該型號結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,使其在降低功耗方面表�(xiàn)出色。此�,其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化,有助于提高散熱性能并簡化系�(tǒng)�(shè)��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):4700pF
輸出電容(Coss):980pF
反向傳輸電容(Crss):180pF
開關(guān)時間:開啟延遲時間(td(on)�= 25ns,上升時間(tr�= 10ns,關(guān)斷延遲時間(td(off)�= 28ns,下降時間(tf�= 15ns
GA1206Y222KBCBT31G 的主要特性包括:
- 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損��
- 快速開�(guān)速度,適合高頻工作環(huán)��
- 強大的電流承載能力,適用于大功率�(yīng)��
- 高效的熱管理和優(yōu)化的封裝�(shè)�,確保長時間運行的穩(wěn)定��
- 具備出色的雪崩能力和短路耐受能力,增強了器件的魯棒��
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特性使 GA1206Y222KBCBT31G 成為許多電力電子系統(tǒng)中的理想選擇,尤其是在需要高效率和高可靠性的場合�
GA1206Y222KBCBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 開關(guān)模式電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)動與控制
- 太陽能逆變�
- 電動車輛牽引逆變�
- 工業(yè)自動化設(shè)�
- 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
- LED 照明�(qū)動電�
其強大的電流處理能力和高效的開關(guān)性能使得該芯片成為眾多功率轉(zhuǎn)換和�(qū)動應(yīng)用的核心組件�
GA1206Y222KBCBT32G, IRF1206ZPBF, FDP1206N60S