GA1206Y222JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領�。該芯片采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻應用中提供卓越的效率和穩(wěn)定性�
該器件具有強大的過流保護功能和熱關斷機制,確保在極端條件下的可靠�。同�,其封裝設計�(yōu)化了散熱性能,適合需要高功率密度的應用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關頻率�500kHz
工作溫度范圍�-55� � 175�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有效降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,支持高頻操�,減少磁性元件體��
3. �(nèi)置過溫保護和過流限制功能,增強系�(tǒng)的安全性和�(wěn)定��
4. 高雪崩能量能力,提升在瞬�(tài)條件下的魯棒��
5. 小型化封裝設�,有助于節(jié)省PCB空間并改善散熱性能�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF06L