GA1206Y221JBLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,通常應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在高溫和高壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,適用于工業(yè)控制、汽車電子及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中對(duì)效率和可靠性要求較高的應(yīng)用。
類型:功率MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極電壓):1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):0.022Ω
Id(連續(xù)漏極電流):65A
柵極電荷(Qg):95nC
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
輸入電容(Ciss):2200pF
GA1206Y221JBLBT31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:其額定漏源極電壓高達(dá)1200V,適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,Rds(on)僅為0.022Ω,有助于減少導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能:得益于較低的柵極電荷(Qg),此MOSFET可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。
4. 高電流承載能力:支持最大65A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求。
5. 寬溫范圍:能夠在-55℃到+150℃的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
6. 小尺寸封裝:雖然具備強(qiáng)大的性能,但其TO-247封裝仍相對(duì)緊湊,便于PCB布局設(shè)計(jì)。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配器和充電器等。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:用于各種降壓或升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):如家用電器中的無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如變頻器和伺服控制器。
5. 汽車電子:電動(dòng)車充電系統(tǒng)和車載逆變器。
6. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):電池管理系統(tǒng)中的充放電控制部分。
IRGB140K060D3,
FCH06N120,
STW11N120,
CSC12N65,
FQA65P12U,
IXFK65P120