GA1206Y183MXLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而提高了整體效率并減少了能量損��
此型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列,能夠適�(yīng)高電流和高頻工作的需�,廣泛適用于工業(yè)、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及通信�(shè)備領(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�95A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關(guān)速度:超高�
封裝形式:TO-247
GA1206Y183MXLBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻工作環(huán)�,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求�
3. 較高的電流承載能�,使其在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的�(wěn)定性和可靠��
5. 封裝�(shè)�(jì)散熱性能�(yōu)�,有助于延長(zhǎng)器件壽命�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)器件�
4. 太陽能逆變器中的功率管理模��
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率輸出部��
6. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換控��
由于其出色的性能指標(biāo),該器件特別適合需要高�、快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRF2807ZPBF
FDP15N60
STW45N60DM2