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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y183MXLBT31G

GA1206Y183MXLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:22:22 查看 閱讀�9

GA1206Y183MXLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而提高了整體效率并減少了能量損��
  此型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列,能夠適�(yīng)高電流和高頻工作的需�,廣泛適用于工業(yè)、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及通信�(shè)備領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�95A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�70nC
  開關(guān)速度:超高�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y183MXLBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻工作環(huán)�,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求�
  3. 較高的電流承載能�,使其在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的�(wěn)定性和可靠��
  5. 封裝�(shè)�(jì)散熱性能�(yōu)�,有助于延長(zhǎng)器件壽命�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)器件�
  4. 太陽能逆變器中的功率管理模��
  5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率輸出部��
  6. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換控��
  由于其出色的性能指標(biāo),該器件特別適合需要高�、快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF2807ZPBF
  FDP15N60
  STW45N60DM2

ga1206y183mxlbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-