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GA1206Y183MBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:50:30 查看 閱讀�16

GA1206Y183MBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等高效率電力�(zhuǎn)換場�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,在�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能方面表現(xiàn)出色,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,具有較低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速的開關(guān)速度,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  耐壓(Vdss)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�145A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�70nC
  輸入電容(Ciss)�2900pF
  最大工作溫度范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y183MBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,有助于減小無源元件尺寸�
  3. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)用場��
  4. 增強(qiáng)的熱性能�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

該功� MOSFET 適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例� AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)車輛(如電�(dòng)�、電�(dòng)工具)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�?fù)�?br>  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 充電器和適配器中的功率管理模塊�

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP17N60E, STW17N60DM2

ga1206y183mbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-