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GA1206Y182MBXBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 18:09:27 查看 閱讀�13

GA1206Y182MBXBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,專為高效率開�(guān)應用�(shè)�。該器件采用先進的工藝制造,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于電源管理、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用領(lǐng)��
  該型號具體歸屬于增強� N 溝道 MOSFET 類別,能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn),同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�95A
  導通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�75nC
  總電容:3.2nF
  功耗:200W
  �(jié)溫范圍:-55� to 175�

特�

GA1206Y182MBXBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應用場��
  3. 高額定電流支持大功率輸出需求�
  4. 具備�(yōu)異的熱性能,可承受更高�(jié)��
  5. �(nèi)置靜電保護功能,增強器件魯棒��
  6. 小尺寸封裝,有助于節(jié)� PCB 空間�

應用

該型號廣泛應用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電動車輛中的電機控制
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切�
  4. 大功� LED �(qū)動電�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 各類 DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器
  7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)

替代型號

IRF740, FDP5500, STP10NK60Z

ga1206y182mbxbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-