GA1206Y182MBXBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,專為高效率開�(guān)應用�(shè)�。該器件采用先進的工藝制造,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于電源管理、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用領(lǐng)��
該型號具體歸屬于增強� N 溝道 MOSFET 類別,能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn),同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�95A
導通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:3.2nF
功耗:200W
�(jié)溫范圍:-55� to 175�
GA1206Y182MBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應用場��
3. 高額定電流支持大功率輸出需求�
4. 具備�(yōu)異的熱性能,可承受更高�(jié)��
5. �(nèi)置靜電保護功能,增強器件魯棒��
6. 小尺寸封裝,有助于節(jié)� PCB 空間�
該型號廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電動車輛中的電機控制
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切�
4. 大功� LED �(qū)動電�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 各類 DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器
7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
IRF740, FDP5500, STP10NK60Z