GA1206Y154MXJBR31G 是一款高性能的工業(yè)級存儲芯片,屬于 NAND Flash 類型。它采用先進(jìn)的制程工藝,具有高容量、低功耗和高速讀寫的特點,廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備以及消費類電子產(chǎn)品中。
該芯片具備多比特單元(MLC)技術(shù),能夠在單個芯片內(nèi)提供大容量存儲能力,同時支持多種接口標(biāo)準(zhǔn),確保與各類主控芯片兼容。
類型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode 2.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
引腳數(shù):169
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高可達(dá) 400 MB/s
擦寫壽命:3000 次(MLC)
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
GA1206Y154MXJBR31G 具備以下主要特性:
1. 高性能:采用 Toggle Mode 2.0 接口協(xié)議,實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
2. 大容量:通過 MLC 技術(shù),在單一芯片上提供高達(dá) 128GB 的存儲空間。
3. 可靠性:內(nèi)置 ECC(錯誤校正碼)引擎,有效提升數(shù)據(jù)完整性與可靠性。
4. 節(jié)能設(shè)計:優(yōu)化的電路架構(gòu)使其在運行過程中保持較低的功耗水平。
5. 環(huán)境適應(yīng)性強:工作溫度范圍廣,能夠滿足各種苛刻環(huán)境下的使用需求。
6. 安全性:支持?jǐn)?shù)據(jù)加密功能,保護(hù)用戶信息免受未授權(quán)訪問。
該芯片適用于多種領(lǐng)域:
1. 嵌入式系統(tǒng):如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和車載導(dǎo)航等。
2. 存儲設(shè)備:包括 SSD 固態(tài)硬盤、USB 閃存盤及記憶卡。
3. 消費電子:例如智能手機、平板電腦和其他便攜式多媒體播放器。
4. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT):為智能終端提供可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
GA1206Y154MXJBR21G
GA1206Y154MXJCR31G