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GA1206Y154MXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 22:20:35 查看 閱讀�12

GA1206Y154MXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻開關(guān)場景,其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),以滿足工業(yè)�(jí)�(yīng)用對可靠性和�(wěn)定性的要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�150A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�120nC
  開關(guān)頻率�500kHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y154MXBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且兼容�(xiàn)代綠色設(shè)�(jì)理念�
  6. �(nèi)置柵極保�(hù)電路,防止因過壓或誤操作�(dǎo)致的損壞�
  7. 采用�(jiān)固的 TO-247 封裝,散熱性能�(yōu)��

�(yīng)�

該功� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,用于提高效率和減小尺寸�
  2. 電動(dòng)車輛及混合動(dòng)力汽車中的電�(jī)控制模塊�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與功率管理�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品�
  5. 高功� LED �(qū)�(dòng)電路,提供精確的電流�(diào)節(jié)功能�
  6. 各類家電和消�(fèi)電子�(chǎn)品的高效電源解決方案�
  7. 緊湊型不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)的設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP5570N, STP150N06LLH

ga1206y154mxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.15 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-