GA1206Y124JXXBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等多種應(yīng)用場�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能量損耗�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,其�(yōu)化的�(jié)�(gòu)使其在高溫條件下依然保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。同�(shí),它具備良好的靜電防�(hù)能力(ESD Protection�,從而提高了整體的可靠��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�35nC
總電容:180pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,能夠有效降低開�(guān)損耗�
3. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的運(yùn)行需求�
4. �(nèi)置靜電保�(hù)電路,增�(qiáng)器件在實(shí)際使用中的抗干擾能力�
5. 小尺寸封裝,適合空間受限的設(shè)�(jì)方案�
1. 開關(guān)電源適配器及充電�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器與逆變�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路
4. LED照明�(qū)�(dòng)模塊
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
GA1206Y124JXXBR28G
IRFZ44N
FDP5570N
STP60NF06L