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GA1206Y123MBJBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:15:16 查看 閱讀�10

GA1206Y123MBJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,主要針�(duì)中高功率�(yīng)用設(shè)�(jì),具備出色的熱特性和電氣�(wěn)定�,可適應(yīng)各種�(fù)雜的工作�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�123nC
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)� 25ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206Y123MBJBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提高頻率響應(yīng)�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  5. �(qiáng)大的抗雪崩能�,能夠在異常條件下提供額外保�(hù)�
  6. 小封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局并節(jié)省空��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 芯片適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電�(dòng)汽車中的功率控制模塊�
  5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用領(lǐng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP15N65
  STP120NF06L

ga1206y123mbjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-