GA1206Y122MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
其封裝形式緊�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體效率和可靠性�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷(典型值)�125nC
反向恢復(fù)�(shí)間:25ns
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效能電力電子�(shè)��
3. 高電流承載能�,滿足大功率�(yīng)用場景的需求�
4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持可靠的�(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到空間受限的設(shè)�(jì)中�
該芯片適用于各種高功率密度的�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電動(dòng)汽車牽引逆變��
2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能光伏微型逆變��
4. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
GA1206Y122MBJBT32G, IRF7846, FDP16N60C