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GA1206Y122MBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 22:13:29 查看 閱讀�15

GA1206Y122MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
  其封裝形式緊�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體效率和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷(典型值)�125nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:25ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效能電力電子�(shè)��
  3. 高電流承載能�,滿足大功率�(yīng)用場景的需求�
  4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持可靠的�(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到空間受限的設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

該芯片適用于各種高功率密度的�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 電動(dòng)汽車牽引逆變��
  2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能光伏微型逆變��
  4. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�

替代型號(hào)

GA1206Y122MBJBT32G, IRF7846, FDP16N60C

ga1206y122mbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-