GA1206Y122KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),也具備了較高的�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)良的熱性能�
此型�(hào)屬于功率MOSFET家族中的增強(qiáng)型N溝道器件,能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供高效的電能�(zhuǎn)換,并且在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
�(lèi)型:N溝道MOSFET
額定電壓�600V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�50nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高支�500kHz
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206Y122KXCBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,使得其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高額定電壓(600V�,能夠承受更高的反向電壓沖擊,增�(qiáng)了器件的可靠性�
4. 熱性能�(yōu)�,具備良好的散熱�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下依然維持�(wěn)定的性能�
5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
6. 封裝形式�(jiān)固耐用,易于集成到不同的電路板�(shè)�(jì)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�?fù)�?br> 4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的電源管理單��
6. 各類(lèi)高效能電力轉(zhuǎn)換裝置,如光伏逆變�、不間斷電源 (UPS) ��
IRFZ44N
STP120N10
FDP5800