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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y122KXCBR31G

GA1206Y122KXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:21:46 查看 閱讀�11

GA1206Y122KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),也具備了較高的�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)良的熱性能�
  此型�(hào)屬于功率MOSFET家族中的增強(qiáng)型N溝道器件,能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供高效的電能�(zhuǎn)換,并且在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  額定電壓�600V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�50nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最高支�500kHz
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206Y122KXCBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,使得其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)減少�(kāi)�(guān)損��
  3. 高額定電壓(600V�,能夠承受更高的反向電壓沖擊,增�(qiáng)了器件的可靠性�
  4. 熱性能�(yōu)�,具備良好的散熱�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下依然維持�(wěn)定的性能�
  5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
  6. 封裝形式�(jiān)固耐用,易于集成到不同的電路板�(shè)�(jì)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�?fù)�?br>  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的電源管理單��
  6. 各類(lèi)高效能電力轉(zhuǎn)換裝置,如光伏逆變�、不間斷電源 (UPS) ��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP120N10
  FDP5800

ga1206y122kxcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-