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GA1206A8R2DBCBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:06:41 查看 閱讀�18

GA1206A8R2DBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、DC-DC 轉換�、電機驅動等高效率電力轉換應�。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,其設計目標是滿足現(xiàn)代電子設備對高效率和小體積的需�。通過�(yōu)化柵極電荷和導通電阻之間的權衡,該芯片能夠在高頻工作條件下保持出色的性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  導通電阻(典型值)�2mΩ
  柵極電荷�70nC
  總電容:1300pF
  最大工作結溫:175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A8R2DBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. �(yōu)化的柵極電荷設計,支持高頻開關應��
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下具備更高的可靠��
  4. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
  5. 支持大電流負�,適用于工業(yè)級高功率應用場景�
  6. 提供出色的熱性能,能夠有效降低芯片溫度并延長使用壽命�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的主開關管或同步整流��
  2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設備中的電機驅動電路�
  3. 新能源汽車及充電樁的電力管理系統(tǒng)�
  4. LED 照明驅動電路�
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設備中的功率轉換模塊�
  6. 各種需要高效功率轉換的場景�

替代型號

GA1206A8R2DBCBR29G
  IRF2807
  FDP177N06B
  STP100N06FP

ga1206a8r2dbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-