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GA1206A8R2BBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:57:35 查看 閱讀�5

GA1206A8R2BBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了系統(tǒng)的效率并降低了功耗�
  這款功率MOSFET支持高頻工作,適用于要求高效率和高可靠性的工業(yè)和消�(fèi)電子�(yīng)用。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠提供出色的散熱性能和電氣連接可靠性�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A8R2BBABR31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大持�(xù)漏極電流(Id)�120A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�360W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A8R2BBABR31G具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. 支持高達(dá)175°C的工作結(jié)溫,適用于嚴(yán)苛的高溫�(huán)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. �(wěn)定的電氣特性和可靠的熱管理�(shè)�(jì),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(wěn)定性�
  這些特性使該器件成為高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選��

�(yīng)�

GA1206A8R2BBABR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于實(shí)�(xiàn)電壓�(diào)節(jié)和電能轉(zhuǎn)��
  4. 工業(yè)逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
  5. 太陽(yáng)能微型逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  6. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,該芯片特別適合�(duì)效率和熱性能有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA1206A8R2BBABR32G, IRF540N, FDP5500

ga1206a8r2bbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-