GA1206A8R2BBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了系統(tǒng)的效率并降低了功耗�
這款功率MOSFET支持高頻工作,適用于要求高效率和高可靠性的工業(yè)和消�(fèi)電子�(yīng)用。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠提供出色的散熱性能和電氣連接可靠性�
型號(hào):GA1206A8R2BBABR31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大持�(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
總功�(Ptot)�360W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206A8R2BBABR31G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. 支持高達(dá)175°C的工作結(jié)溫,適用于嚴(yán)苛的高溫�(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. �(wěn)定的電氣特性和可靠的熱管理�(shè)�(jì),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(wěn)定性�
這些特性使該器件成為高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選��
GA1206A8R2BBABR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于實(shí)�(xiàn)電壓�(diào)節(jié)和電能轉(zhuǎn)��
4. 工業(yè)逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
5. 太陽(yáng)能微型逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,該芯片特別適合�(duì)效率和熱性能有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)景�
GA1206A8R2BBABR32G, IRF540N, FDP5500