GA1206A822JBBBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及電機�(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
其封裝形式為 LFPAK56D,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提升整體效率�
型號:GA1206A822JBBBR31G
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vds)�12V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�70A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ
功�(Pd)�120W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
封裝:LFPAK56D
GA1206A822JBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 1.4mΩ,有助于減少功率損耗,提高效率�
2. 支持高達(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場��
3. 高速開�(guān)能力,能夠在高頻電路中提供卓越的性能�
4. 良好的熱性能�(shè)�,可確保在高溫環(huán)境下�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 采用 LFPAK56D 封裝,具備良好的散熱特性和機械強度�
這些特點� GA1206A822JBBBR31G 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選��
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動電路,適用于各種類型的電動機控��
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于電動汽車和其他便攜式設(shè)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保護電路�
5. 充電器和適配器中的功率級組件�
由于其高電流處理能力和低�(dǎo)通電阻,GA1206A822JBBBR31G 在需要高效能量傳輸和快速響�(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IRLB8748PBF
FDP16N12
IXFN120N10T2