時間：2025/5/29 23:31:48
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GA1206A821KXABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動和負載開關等領域。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能。
其封裝形式為 TO-263（D2PAK），能夠有效提升散熱能力，適用于大功率應用場合。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：47A
導通電阻：1.9mΩ
柵極電荷：55nC
反向恢復時間：85ns
to 175℃
GA1206A821KXABR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高效率。
2. 高速開關性能，適合高頻應用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在惡劣條件下長時間運行。
4. 封裝設計優(yōu)化了電氣性能和散熱表現(xiàn)。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛材料。
該器件適用于多種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中，具體包括：
1. 開關模式電源（SMPS）中的主開關管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓電路中的同步整流管。
3. 電動工具、家用電器等設備中的電機控制。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關和保護電路。
5. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應用場景。
IRFZ44N
FDP15U20AE
AON6710
