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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A821KBEBT31G

GA1206A821KBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:18:13 查看 閱讀�10

GA1206A821KBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻工作條件下的性能表現(xiàn),同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻:8.2mΩ
  柵極電荷�17nC
  �(kāi)�(guān)速度:典型�50ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263

特�

1. 超低�(dǎo)通電�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),在高溫�(huán)境下仍能保持�(yōu)異的性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于安裝與散熱�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)器件�
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

ga1206a821kbebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-