GA1206A821KBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻工作條件下的性能表現(xiàn),同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:8.2mΩ
柵極電荷�17nC
�(kāi)�(guān)速度:典型�50ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
1. 超低�(dǎo)通電�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),在高溫�(huán)境下仍能保持�(yōu)異的性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于安裝與散熱�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)器件�
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
IRFZ44N, FDP5800, AO3400