GA1206A821KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用。該器件采用了先進的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,從而提升了效率并降低了功��
這款芯片適用于工�(yè)、汽車以及消費電子領域,能夠承受高電壓和大電流的工作�(huán)��
型號:GA1206A821KBABT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�1200V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�6A
導通電阻Rds(on)�1.4Ω(在Vgs=10V時)
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝形式:TO-247
GA1206A821KBABT31G具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
2. 極低的導通電�,減少了功率損��
3. 快速開�(guān)性能,提高了工作效率�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持良好的性能�
5. 提供了出色的雪崩能力和抗靜電能力,增強了系統(tǒng)的可靠性�
6. 具備較低的輸入電�,使得驅(qū)動更加容易�
該芯片廣泛應用于多種領域,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
2. 逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
3. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動控��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換模��
6. LED照明�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
IRFP460, STP12NM60, FQA16N120C