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GA1206A821KBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 22:14:52 查看 閱讀�14

GA1206A821KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用。該器件采用了先進的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,從而提升了效率并降低了功��
  這款芯片適用于工�(yè)、汽車以及消費電子領域,能夠承受高電壓和大電流的工作�(huán)��

參數(shù)

型號:GA1206A821KBABT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds�1200V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�6A
  導通電阻Rds(on)�1.4Ω(在Vgs=10V時)
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A821KBABT31G具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
  2. 極低的導通電�,減少了功率損��
  3. 快速開�(guān)性能,提高了工作效率�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持良好的性能�
  5. 提供了出色的雪崩能力和抗靜電能力,增強了系統(tǒng)的可靠性�
  6. 具備較低的輸入電�,使得驅(qū)動更加容易�

應用

該芯片廣泛應用于多種領域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
  2. 逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
  3. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動控��
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換模��
  6. LED照明�(qū)動電路中的開�(guān)元件�

替代型號

IRFP460, STP12NM60, FQA16N120C

ga1206a821kbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-