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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A821GBBBT31G

GA1206A821GBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 12:15:00 查看 閱讀�4

GA1206A821GBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
  該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于需要高效率和高可靠性的電路�(shè)�(jì)。其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)�(guò)�(yōu)�,以適應(yīng)�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
  柵極電荷�31nC
  總電容(輸入電容):530pF
   � +175�
  封裝形式:TO-263

特�

GA1206A821GBBBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
  4. 柵極閾值電壓經(jīng)�(guò)精確�(diào)�,確保在各種條件下都能穩(wěn)定工作�
  5. 小型化的封裝形式,便于在緊湊的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)高效布局�
  6. 支持較寬的工作溫度范�,適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 的主�(kāi)�(guān)或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理單元�
  7. 各種便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  STP10NK60Z

ga1206a821gbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-