GA1206A821GBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于需要高效率和高可靠性的電路�(shè)�(jì)。其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)�(guò)�(yōu)�,以適應(yīng)�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
柵極電荷�31nC
總電容(輸入電容):530pF
� +175�
封裝形式:TO-263
GA1206A821GBBBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
4. 柵極閾值電壓經(jīng)�(guò)精確�(diào)�,確保在各種條件下都能穩(wěn)定工作�
5. 小型化的封裝形式,便于在緊湊的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)高效布局�
6. 支持較寬的工作溫度范�,適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 的主�(kāi)�(guān)或同步整流管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理單元�
7. 各種便攜式電子設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方��
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK60Z