GA1206A821GBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�。該器件適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其采用先�(jìn)的GaN制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,可顯著提升系統(tǒng)的效率和功率密度�
該型�(hào)由一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司生�(chǎn),專(zhuān)為要求苛刻的工業(yè)和消�(fèi)電子市場(chǎng)�(shè)�(jì)。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GaN晶體管能夠以更小的尺寸實(shí)�(xiàn)更高的性能�
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
封裝:TO-247
Vds(漏源極擊穿電壓):650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�120mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):30A
Qg(總柵極電荷):70nC
Ciss(輸入電容)�1590pF
fsw(最大開(kāi)�(guān)頻率):5MHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A821GBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 高效的電力傳輸能�,得益于其低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度�
2. 超高擊穿電壓�650V),使其能夠承受較高的瞬�(tài)電壓,適合各種嚴(yán)苛的�(yīng)用環(huán)��
3. 極低的寄生電感和電容,減少了�(kāi)�(guān)損�,提高了系統(tǒng)效率�
4. 支持高達(dá)5MHz的開(kāi)�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)��
6. 小巧的封裝設(shè)�(jì)降低了PCB占用面積,有助于縮小整體�(chǎn)品體積�
7. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電�
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
7. 消費(fèi)�(lèi)快充適配�
由于其出色的性能,GA1206A821GBABR31G在需要高效率、高功率密度和高可靠性的�(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出�
GA1206A821GBABR28G, GA1206A821GBABR35G