GA1206A820JBBBR31G 是一款由 Greenchip(已被安森美半導(dǎo)體收�(gòu))生�(chǎn)的高壓功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、LED�(qū)�(dòng)器和其他高效率電力轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用DPAK封裝形式,具備出色的�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體效率�
該型�(hào)中的具體參數(shù)編碼表明其額定電壓為 650V,導(dǎo)通電阻相�(duì)較低,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8.2A
�(dǎo)通電阻:450mΩ
柵極電荷�18nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:DPAK (TO-252)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
GA1206A820JBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 650V 的漏源電壓,適用于各種高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 450mΩ,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),確保了高效的開�(guān)操作,并減少了開�(guān)損耗�
4. 小型化封裝:采用 DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�(jì),滿足國(guó)際法�(guī)要求�
GA1206A820JBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):包括適配器、充電器等產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換電��
2. LED �(qū)�(dòng)器:用于恒流或恒壓控制的高效 LED 照明解決方案�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在小型電機(jī)控制中提供精確的功率�(diào)節(jié)�
4. 工業(yè)電源:如 UPS、逆變器等�(shè)備中的核心功率元��
5. 消費(fèi)類電子:電視、顯示器等需要高效率電源管理的產(chǎn)��
GA1206A820JBBBR31G 的替代型�(hào)包括�
NCP1206A820JBBBR31G
FQA8N65C
IRF840
STP8NC65E