GA1206A6R8DBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能��
其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝技術(SMT)應用,同時具備良好的電氣特性和可靠�,適用于各種嚴苛的工作環(huán)境�
型號:GA1206A6R8DBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�28A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�37nC
總功�(Ptot)�26W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝:TO-252(DPAK)
GA1206A6R8DBEBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(4.5mΩ�,可顯著降低傳導損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高開關速度,柵極電荷僅�37nC,確保在高頻應用場景下的卓越性能�
3. 耐熱增強型封裝設�,能夠有效散熱,支持長期�(wěn)定運��
4. 支持寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適應多種復雜環(huán)境�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠,滿足現(xiàn)代工�(yè)要求�
6. �(yōu)越的抗雪崩能力和短路耐受能力,提升了器件的耐用��
該功率MOSFET適用于多種領域,包括但不限于�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開關管�
2. DC-DC轉換器的核心功率級元件�
3. 電機驅動電路中的功率開關�
4. 汽車電子設備中的負載切換和控制�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的電源管理和功率分��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護電路�
GA1206A6R8DBEBR31H, IRFZ44N, FDP5500