GA1206A6R8DBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓以及快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻和高效率需求的電路中使��
該型號采用了先�(jìn)的溝槽式工藝制�,能夠有效降低器件的�(dǎo)通損�,并提升整體系統(tǒng)的能效表�(xiàn)。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)及散熱管��
類型:功率MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�25A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
總功�(Ptot)�17W
工作溫度范圍(Top)�-55� to +175�
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
GA1206A6R8DBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 4.5mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力,支持高�(dá) 60V 的漏源極電壓,確保在各種�(yán)苛條件下�(wěn)定運(yùn)行�
3. 快速開�(guān)性能,具備低柵極電荷 (70nC),適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適�(yīng)多種工業(yè)級和汽車級應(yīng)用場��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì) (TO-Leadless),簡化了 PCB 布局并優(yōu)化了熱性能�
這款功率 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)管�
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)器和 DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
GA1206A6R8DBBBR30G, IRF540N, FDP5500