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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A681KXEBR31G

GA1206A681KXEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 22:24:21 查看 閱讀�10

GA1206A681KXEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和高可靠性等特點(diǎn),適合對(duì)效率和熱性能要求較高的應(yīng)用環(huán)��
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,具有出色的電氣特性和封裝�(wěn)定�,可顯著提升系統(tǒng)整體性能�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
  總柵極電�(Qg)�79nC
  輸入電容(Ciss)�2020pF
  輸出電容(Coss)�125pF
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  工作溫度范圍�-55°C�175°C

特�

GA1206A681KXEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特性使得其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高額定電流能�,支持高�(dá)45A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
  4. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功耗環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. 提供了較寬的工作溫度范圍 (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種極端�(huán)境條��
  6. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以減少寄生電感和電�,從而提升整體性能�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為高端或低端�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
  6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及牽引逆變��
  7. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備中的高效電源管理模��

替代型號(hào)

GA1206A681KXEBR21G, IRF7843, FDP16N60E

ga1206a681kxebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-