GA1206A681KXEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和高可靠性等特點(diǎn),適合對(duì)效率和熱性能要求較高的應(yīng)用環(huán)��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,具有出色的電氣特性和封裝�(wěn)定�,可顯著提升系統(tǒng)整體性能�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
總柵極電�(Qg)�79nC
輸入電容(Ciss)�2020pF
輸出電容(Coss)�125pF
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
工作溫度范圍�-55°C�175°C
GA1206A681KXEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特性使得其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)�,能夠降低開(kāi)�(guān)損耗�
3. 高額定電流能�,支持高�(dá)45A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
4. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功耗環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 提供了較寬的工作溫度范圍 (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種極端�(huán)境條��
6. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以減少寄生電感和電�,從而提升整體性能�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為高端或低端�(kāi)�(guān)元件�
3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及牽引逆變��
7. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備中的高效電源管理模��
GA1206A681KXEBR21G, IRF7843, FDP16N60E