GA1206A681JXEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保其在高電壓和大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠�。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
總柵極電�(Qg)�90nC
輸入電容(Ciss)�4070pF
輸出電容(Coss)�115pF
反向傳輸電容(Crss)�38pF
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to 175�
GA1206A681JXEBT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 高電流承載能力,支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常工作�
5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),有助于節(jié)省電路板空間�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性使其成為許多高功率密度�(yīng)用的理想選擇�
GA1206A681JXEBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)動與控制
3. 逆變�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器
5. 太陽能微逆變�
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
7. 電動工具
8. 汽車電子系統(tǒng)
由于其出色的電氣性能和可靠�,這款芯片適用于需要高效功率管理的各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品�
GA1206A681JXEBT30G, IRF840, FDP8880